Travesaño anuncia tecnología RAM casi listo para su lanzamiento

Esta es una traducción automática mejorada de este artículo.

El fabricante RRAM Crossbar desvela el nuevo reemplazo de flash Anand. RAM (RAM o ReRAM) está diseñado para almacenar los datos mediante la creación de resistencia en un circuito en lugar de captura de electrones dentro de una célula. Actualmente, la compañía está trabajando para entregar sus diseños para el uso comercial.

 Se entiende, pues se tiene la capacidad para fabricar el hardware y dar el siguiente paso para traer RAM al mercado.

NAND está quedando atrás su rival ReRAM en muchos aspectos. NAND tiene un ciclo de programa limitado, su vida útil se desgasta como las células se hacen más pequeños, lo que resulta en un aumento correspondiente de corrección de errores. Hay pocas actuaciones dispositivos flash NAND pueden lograr y que no tienen otra opción que la de mejorar el controlador NAND o la interfaz del sistema en lugar de los resultados poco satisfactorios de la propia NAND.

Las características de funcionamiento y rendimiento de ReRAM son más altos. Por ejemplo, no necesitará un formateo antes de que sea programado y tiene mayor velocidad que la memoria flash NAND, además de que no dibujar tanto poder. Según Crossbar, NAND requiere 1.360 picojoules por célula para programar mientras RRAM hace su trabajo con sólo 64 picojoules por célula. Además del bajo consumo de energía, la nueva tecnología descubierta debe apoyar almacenar dos bits de datos por celular (análogos a MLC NAND) y ser apilados en capas 3D.

También es posible que esta nueva tecnología podría utilizarse para reducir la complejidad de la propia microcontrolador, una mejora notable teniendo en cuenta cómo complejidad y el coste se han incrementado como la tarea de gestión de memoria flash se vuelve más complicado.

Aunque Crossbar mostró que sus diseños se pueden ampliar en el terascale, queda por ver cuando va a ser capaz de ofrecer productos a que la densidad de mercado. Ahora, la empresa concede una licencia a ASIC, FPGA, y los desarrolladores SoC, con muestras que llegan a 2.015.

Flash NAND dominará el mercado de la memoria durante muchos años por venir. Hay razones económicas para ello. Samsung, Intel, Micron pagó miles de millones de dólares para la producción de NAND y no es probable que va a cambiar de repente proveedores. La estrategia para sobrevivir en la industria tecnológica no siempre es la adopción de la última tecnología, pero para continuar ofreciendo el mismo producto a un menor costo. Fabricantes de almacenamiento tienden a utilizar la tecnología más barata durante décadas a pesar de que otras tecnologías ofrecen un mejor rendimiento.

3D flash NAND (o V-NAND) mantendrá su primer puesto en el mercado de la memoria no volátil durante al menos tres años más. Eso no quiere decir RRAM no hará una presencia entre los consumidores u otros negocios. Hay algunas empresas que ya han recurrido a mayores diseños rendimiento como PCI Express o la próxima NVMe que permite tiempos de respuesta más rápidos para alta frecuencia de comercio de acciones u otras aplicaciones de latencia crítica. Velocidad de funcionamiento de RRAM no puede parecer más alta que NAND pero es capaz de mejores tiempos de respuesta en las latencias que importan a las computadoras, determinando así algunos segmentos de adoptar el equipo.

Hay otras versiones de memoria resistiva, como la memoria de cambio de fase (PCM) que, efectivamente, puede ofrecer un mejor rendimiento que la memoria flash NAND, sino también a un precio superior. RRAM utiliza hardware CMOS convencionales y puede operar a escalas de hasta 5 nm. Flash NAND, por el contrario, no se espera que escalar por debajo de 10 nm.

3D NAND permitirá a las empresas introducen nodos superiores. Por ejemplo, la corriente V-NAND de Samsung se basa en la tecnología de proceso de 40nm. Es un buen método que podría funcionar para los próximos cinco a diez años, pero con el fin de mejorar el consumo de energía y tomar la informática al siguiente nivel que deberíamos pasar a una nueva forma de memoria, y ahora mismo RRAM parece el más capaz para enfrentar estos desafíos .